術語解釋
- 標稱頻率:晶體技術條件中規定的頻率,通常標識在產品外殼上。
- 工作頻率:晶體與工作電路共同產生的頻率。
- 調整頻差:在規定條件下,基準溫度(25±2℃)時工作頻率相對於標稱頻率所允許的偏差。
- 溫度頻差:在規定條件下,在工作溫度範圍內相對於基準溫度(25±2℃)時工作頻率的允許偏差。
- 老化率:在規定條件下,晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。
- 靜電容:等效電路中與串聯臂並接的電容,也叫並電容,通常用C0表示。
- 負載電容:與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。
負載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
- 負載諧振頻率(fL):在規定條件下,晶體與一負載電容相串聯或相並聯,其組合阻抗呈現為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時,負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在並聯負載電容時,則是兩個頻率中較高的一個。
- 動態電阻:串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
- 負載諧振電阻:在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。
RL=R1(1+C0/CL)2
- 激勵電平:晶體工作時所消耗功率的表徵值。激勵電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
- 基頻:在振動模式最低階次的振動頻率。
- 泛音:晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍,這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。